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CSD13380F3 MOS Field Effect Tube PICOSTAR3 Silk Screen D Original Spot Mosfet

Mosfet original de seda do ponto da tela D de CSD13380F3 MOS Field Effect Tube PICOSTAR3

  • Número do modelo
    CSD13380F3
  • Circunstância
    CSD13380F3
  • Corrente - Saída / Canal
    Padrão
  • Potência - Máx.
    Padrão
  • Tipo
    Outro, IC
  • Pacote/caso
    DIP20,28-VQFN expôs a almofada
  • Prazo de execução
    Em conservado em estoque
  • Lugar de origem
    CHINA
  • Marca
    CSD13380F3
  • Certificação
    CSD13380F3
  • Número do modelo
    CSD13380F3
  • Quantidade de ordem mínima
    6 PCS
  • Preço
    Ask
  • Detalhes da embalagem
    Caixa
  • Tempo de entrega
    1DAYS
  • Termos de pagamento
    T/T, YESCROW, TESTES BRANCOS de HORSE/GETS, Western Union, D/P, T/T
  • Habilidade da fonte
    1300000pcs/Day

Mosfet original de seda do ponto da tela D de CSD13380F3 MOS Field Effect Tube PICOSTAR3

Mosfet original de seda do ponto da tela D de CSD13380F3 MOS Field Effect Tube PICOSTAR3

 

TIPO
DESCREVA
categoria
Produtos de semicondutor discretos
Transistor - FET, MOSFET - único
fabricante
Texas Instruments
série
FemtoFET™
estado do produto
no estoque
Tipo do FET
Canal de N
tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Tensão da Dreno-fonte (Vdss)
12V
Corrente em 25°C - dreno contínuo (identificação)
3.6A (Ta)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Em-resistência (máxima) na identificação diferente, Vgs
76 milliohms @ de 400mA, 4.5V
Vgs (th) (máximo) em Ids diferentes
1.3V @ 250µA
Carga da porta (Qg) em Vgs diferente (máximo)
1.2nC @ 4.5V
Vgs (máximo)
8V
Capacidade entrada (Ciss) em Vds diferente (máximo)
156 PF @ 6V
Função do FET
-
Dissipação de poder (máxima)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo da instalação
Tipo de superfície da montagem
Empacotamento do dispositivo do fornecedor
3-PICOSTAR
Pacote/cerco
3-XFDFN
Número básico do produto
CSD13380

 

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